甩開Intel，臺積電將投200億美美元開發(fā)3nm工藝

　　2017年半導體制造工藝已經進入10nm節(jié)點，Intel、三星、TSMC今年內都推出了10nm工藝，2018年則會進入7nm節(jié)點，到這里為止是各大半導體廠商能夠迅速量產的工藝極限了，再往下的5nm、3nm工藝還在研發(fā)中，是他們制勝未來的關鍵。昨天臺積電率先公布了未來的3nm工藝計劃，不再考慮出走美國，而是繼續(xù)在臺灣地區(qū)建設3nm工藝，預計整個投資計劃將高達200億美元。

　　臺積電昨天公告稱經過評估，他們的3nm工藝將選址南科臺南園區(qū)。不過臺積電官方并沒有公布投資計劃詳情，臺灣經濟部門預計整個3nm工藝投資案至少是5千億新臺幣的規(guī)模，而業(yè)界分析認為3nm節(jié)點將大量采用EUV光刻技術，總投資額將高達200億美元，將成為臺灣科技史上投資最大的計劃。

　　至于3nm工藝問世時間，預計量產時間是2022年之后，因為臺積電目前的進度是2018年量產7nm工藝，增強版7nm工藝則是2019年問世，5nm工藝預計在2020年量產，之后才能輪到3nm工藝。

　　Intel前不久在北京的精尖制造日會議上也提到了在研發(fā)5nm、3nm工藝，不過官方并沒有提及具體的進度，所以何時量產3nm還是個謎，但是可以確定的是Intel的10nm工藝今年底量產，而且也會有三代10nm工藝，未來的7nm恐怕也是如此，所以Intel的3nm工藝還會比相當長時間，進度應該會比臺積電更靠后一些。